РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000763427<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Zaguliaev D. V. 
The effect of high-intensity electron beam on the crystal structure, phase composition, and properties of Al - Si alloys with different silicon content = Вплив високоінтенсивного електронного пучка на кристалічну будову, фазовий склад і властивості стопів Al - Si з різним вмістом силіцію / D. V. Zaguliaev, S. V. Konovalov, Yu. F. Ivanov, V. E. Gromov, V. V. Shlyarov, Yu. A. Rubannikova // Progress in Physics of Metals. - 2021. - 22, № 1. - С. 129-157. - Бібліогр.: 47 назв. - англ.

Роботу спрямовано на вивчення елементного та фазового складу, мікроструктурної еволюції, параметра та мікроспотворень кристалічної гратниці та розміру ділянки когерентного розсіяння у стопах Al - 10,65Si - 2,11Cu і Al - 5,39Si - 1,33Cu, оброблюваних високоінтенсивним електронним пучком. З використанням методів рентгенофазового аналізу встановлено, що у вихідному стані основними фазами досліджуваних стопів є твердий розчин на основі алюмінію, силіцій та інтерметаліди, а також наявна фаза складу Fe2Al9Si2. У стопі Al - 10,65Si - 2,11Cu додатково виявлено фазу Cu9Al4. Опромінення стопів імпульсним електронним пучком супроводжується зміною параметра кристалічної гратниці Al - 10,65Si - 2,11Cu (твердий розчин на основі алюмінію) та Al - 5,39Si - 1,33Cu (фази Al1 і Al2). Ймовірно, причиною зміни параметра кристалічної гратниці в стопах Al - 10,65Si - 2,11Cu та Al - 5,39Si - 1,33Cu є зміна концентрації легувальних елементів у твердому розчині даних фаз. Встановлено, що за густини пучка електронів у 30 і 50 Дж/см<^>2 у модифікованому шарі спостерігається розчинення силіцію та інтерметалідів. Сучасні методи фізичного матеріалознавства надали змогу встановити, що в результаті опромінення поверхні матеріалу формується шар з нанокристалічною структурою коміркової кристалізації. Товщина модифікованого шару варіюється залежно від параметрів електронно-пучкового оброблення й сягає максимального значення у 90 мкм за густини енергії у 50 Дж/см<^>2. За даними сканувальної (СЕМ) та просвітлювальної (ПЕМ) електронної мікроскопії частинки силіцію розташовуються на межах комірок. Подібні зміни структурно-фазових станів матеріалів позначаються й на механічних характеристиках. Як характеристики поверхневих шарів використовували мікротвердість, параметр зношення та коефіцієнт тертя, значення яких визначали безпосередньо на поверхні опромінення, для всіх варіантів модифікування. Показано, що у разі обробки поверхні матеріалу інтенсивним імпульсним електронним пучком відбувається збільшення зносостійкості та мікротвердості стопів Al - 10,65Si - 2,11Cu і Al - 5,39Si - 1,33Cu.


Індекс рубрикатора НБУВ: К233.1

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж23022 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського