Іляш С. А. Кінетика фотопровідності та механізми рекомбінації нерівноважних носіїв заряду в бар'єрних структурах InGaAs/GaAs та Ge/Si : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.05 / С. А. Іляш; Київський національний університет імені Тараса Шевченка. - Київ, 2018. - 18 c. - укp.Роботу присвячено комплексному дослідженню особливостей релаксації фотозбудження у бар’єрних структурах з нанорозмірними об’єктами InGaAs та Ge/Si і визначенню механізмів фотопровідності у таких гетероструктурах. Визначено роль квантово-розмірних станів нанооб’єктів та енергетичного розупорядкування під час рекомбінацій нерівноважних носіїв заряду в бар’єрних структурах на основі гетеропереходу InGaAs/GaAs та Ge/Si. Показано, що явище довготривалої фотопровідності з неекспоненційною релаксацією фотозбудження, виявлене у структурах з нанооб’єктами, пояснюються просторовим розділенням зарядів збуджених електронно-діркових пар локальними електричними полями та впливом глибоких пасток в оточенні наноструктур. Визначено роль наноструктур у релаксації фотозбудження та розтлумачено явище збільшення часу загасання фотоЕРС та фотоструму під час легування квантових точок InAs домішками донорного типу. Вперше показано, що присутність квантових точок InGaAs в області просторового заряду р-і-п діодів призводить до розширення спектральногодіапазону в 14 область (до 1.2еВ), а їх легування кремнієм збільшує час життя нерівноважних носіїв заряду на порядок. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.142
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА434544 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|