Ніколаєнко А. В. Вплив опромінення на трансформацію модульованих структур у потрійних халькогенідних сегнетоелектриках : автореф. дис. ... канд. фіз.-мат. наук : 01.04.07 / А. В. Ніколаєнко; Київський національний університет імені Тараса Шевченка. - Київ, 2018. - 20 c. - укp.Присвячено вивченню закономірностей змін кристалічної структури та електропровідності під час формування та розпаду модульованих структур у потрійних халькогенідних сегнетоелектриках TlInS2 та Ag3AsS3, а також встановленню впливу рентгенівського та оптичного опромінення на параметри таких процесів. Методом рентгенівської триколової дифрактометрії встановлено, що у разі досягнення поглиненої дози 2,9 кГр неспівмірна фаза (НФ) утворюється вже при кімнатній температурі, тоді як для неопромінених зразків формування сателітів НФ з qi ( ±δ;0,±0,25) (δ=0,0,45±0,006) було зафіксовано при температурах 238 К - 240 К, які на 24 К - 26 К перевищують відоме у літературі значення температури фазового переходу парафаза - НФ Ti=214 K. Зміна форми та відносної інтенсивності сателітів при опроміненні свідчить про формування декількох хвиль статичних атомних зміщень з різними значеннями параметра неспівмірності δ= 0,02-0,17 та утворення хвиль концентрації атомів у напрямі хвиль зміщень. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371.702,022 + В379.327,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА433218 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|