Розглянуто низьковимірні напівпровідникові кристалічні структури, які через унікальність своїх фізичних властивостей належать до привабливих матеріалів для створення новітніх пристроїв наноелектроніки. Тип (квантова яма, квантова нить чи квантова точка) та розміри обмеження руху квазічастинок у наноструктурі є визначальними факторами за формування її механічних, кінетичних, оптичних та електронних властивостей, а отже і її основних фізичних параметрів. Велику роль тут відіграють також процеси взаємодії квазічастинок, зокрема, електрон-фононної взаємодії. Перенормування енергетичних спектрів електронів і фононів у наноструктурі зумовлює особливості перебігу в них процесів, що контролюються електрон-фононною взаємодією. Для розуміння цих особливостей необхідно досліджувати закономірності трансформації енергетичних спектрів обох систем квазічастинок у наноструктурах різного типу та розмірів, а також механізмів їх взаємодії. Це вимагає знання аналітичного вигляду залежності енергії електрона і частот фононів усіх можливих типів у конкретній наноструктурі. У даній роботі висвітлено спосіб встановлення явного вигляду законів дисперсії частот усіх гілок спектра обмежених акустичних фононів у плоских квазідвовимірних наноструктурах з гексагональною кристалічною граткою. У межах моделі діелектричного континууму виведено формули, що описують залежність частоти від хвильового вектора фонона та, на цій основі, його групової швидкості. Конкретні розрахунки виконано на прикладі наноплівки GaN вюртцитної структури.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"