РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000771638<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Непокупна Т. А. 
Технологія виробництва комбінованих детекторів іонізуючого випромінювання : автореф. дис. ... канд. техн. наук : 05.27.06 / Т. А. Непокупна; Харківський національний університет радіоелектроніки. - Харків, 2021. - 23 c. - укp.

Наведено рішення науково-прикладного завдання підвищення чутливості реєстрації детекторів альфа-, бета-частинок і фотонів гамма-випромінювання, а також просторового розділення детекторів для реєстрації фотонів рентгенівських квантів (для візуалізації об'єктів) за рахунок розробки технологічних процесів виготовлення комбінованих детекторів великої площі. Проведено огляд та аналіз вимог до сучасних детекторів іонізуючого випромінювання, сформульовано вимоги до складових елементів комбінованих детекторів, а також установлено технологічні операції їх виготовлення. Запропоновано технологію виробництва складових елементів комбінованих детекторів для реєстрації фотонів гамма-випромінювання з площею вхідної поверхні від 1000 см2 на основі матеріалів, що відрізняються за лінійними коефіцієнтами теплового розширення у 4,5 - 7 разів для роботи в інтервалі температур від - 50 °С до + 70 °С. Розроблено технологічний процес виробництва спектрометричних і лічильних комбінованих детекторів для реєстрації фотонів гамма-випромінювання з площею вхідної поверхні від 1000 см2 на основі монокристалічних пластин NaI:Tl, оптично з'єднаних із пластиною сцинтиляційного полістиролу. Енергетичне розділення комбінованого детектора не перевищує 8,5 % під час опромінення колімованим джерелом 137Cs (Eγ = 662 кеВ). Чутливість реєстрації фотонів гамма-квантів на 30 - 67 % більше, ніж у детектора NaI:Tl (Eγ = 33 - 2600 кеВ). Удосконалено технологічні операції виготовлення лічильних комбінованих детекторів для реєстрації фотонів гамма-випромінювання з площею вхідної поверхні від 1000 см2 на основі композиційного сцинтилятора CsI:Tl, оптично з'єднаного з пластиною сцинтиляційного полістиролу. Детектори мають чутливість реєстрації фотонів гамма-квантів на 22 % більше під час опромінення джерелом 137Cs та на 78 % більше під час опромінення джерелом 241Am порівняно з детектором на основі сцинтиляційного полістиролу. Удосконалено та впроваджено у виробництво технологічний процес виготовлення спектрометричних комбінованих детекторів альфа- та бета-частинок із площею вхідної поверхні до 180 см2 на основі гетерогенного шару ZnSe:Al і світлопровідного шару з поліметилметакрилату (ПММА). Оптимальне поглинання альфа-частинок детектором забезпечується за рахунок альфа-чутливого підшару товщиною 0,05 - 0,1 мм, що складається з гранул ZnSe:Al розміром 5 - 63 мкм і водорозчинного акрилатного лаку як основи. Для виготовлення бета-чутливого підшару комбінованого детектора використано композитний сцинтилятор ZnSe:Al товщиною 0,7 мм із гранул розміром 100 - 140 мкм, що пропускає не менш ніж 11 % світла та забезпечує відносну ефективність реєстрації бета-частинок ~ 30 %. Детектори мають чутливість реєстрації альфа- та бета-частинок 0,32 імп / с•Бк та 0,34 імп / с•Бк під час опромінення джерелами 239Pu та 90Sr-90Y відповідно, що на 26 % та 14 % більше, ніж у детекторів на основі ZnS:Ag та сцинтиляційної пластмаси. Удосконалено технологічні операції виготовлення комбінованих детекторів фотонів низькоенергетичного рентгенівського випромінювання (для візуалізації об'єктів) із площею вхідної поверхні до 400 см2 на основі композиційного сцинтиляційного шару товщиною 0,1 мм із гранул GAGG:Ce або CsI:Tl розміром 1 - 15 мкм, який з'єднаний із волоконно-оптичною пластиною. Вдосконалено процес твердофазного синтезу гранул GAGG:Ce, в результаті чого визначено оптимальну концентрацію Ce3+, що забезпечує максимальний світловий вихід сцинтиляційного шару GAGG:Ce. Розроблені комбіновані детектори GAGG:Ce мають просторове розділення 5 пар ліній / мм, що на 25 % краще, ніж у плоскопанельних детекторів із матрицею на тонкоплівкових транзисторах, виготовлених на основі екранів CsI:Tl або Gd2O2S:Tb.


Індекс рубрикатора НБУВ: В381.54,022 + К967.2,022

Рубрики:

Шифр НБУВ: РА449337 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Автореферати дисертацій 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського