Изложены основные свойства полупроводниковых детекторов из соединений CdTe и CdZnTe. Описаны физические процессы, которые приводят к обнаружению фотонов при их взаимодействии с веществом детектора, а также аспекты, связанные с применением детекторов в дозиметрии и спектрометрии гамма-излучения. Проанализированы результаты моделирования электрофизических свойств детекторов методами Монте-Карло. Представлены примеры применения детекторов на основе CdZnTe и CdTe для решения прикладных задач.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"