Встановлено основні технологічні процеси, які обмежують порогові параметри і характеристики фотоприймачів на основі вузькощілинних напівпровідників HgCdTe і досліджено їх фізичної природи, що дозволило вперше в Україні розробити основи технології виготовлення дискретних та багатоелементних двоспектральних ІЧ та ТГц фотоприймачів випромінювання 3-го покоління. Проаналізовано фізико-хімічні процеси, які відбуваються під час формування приймачів ІЧ діапазону спектра на основі HgCdTe. Зокрема, визначено гранично можливі значення температурних та механічних навантажень на епітаксійні шари HgCdTe, які повинні враховуватись в технології виготовлення приймачів на основі HgCdTe. Розроблено низькотемпературні режими формування захисних покриттів CdTe, фізичні властивості яких задоволняють вимогам до пасиваційних покриттів. Вивчено фізико-хімічні процеси на інтерфейсі метал/HgCdTe, що відбуваються під час розроблених низькотемпературних режимах формування двошарових омічних контактів до епітаксійних шарів HgCdTe, як з електронним, так і з дірковим типом провідності, омічна поведінка яких не залежить від типу металу, що свідчить про збагачення носіями приповерхневого шару, що зумовлено піннінгом рівня Фермі. Запропоновано та розроблено дводіапазонні приймачі на основі болометрів КРТ інтегровані з металічними антенами, які продемонстрували відгук до ТГц випромінювання (на основі розігріву електронного газу в біполярному напівпровіднику), є чутливими також в ІЧ діапазоні (за рахунок міжзонного поглинання). Вперше показано можливість реалізації селективних фільтрів на основі композитних структур AIN, MgO/полімерна плівка, блокуючих ІЧ та прозорих у видимому та ТГц діапазонах спектра.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Цибрій Зіновія Федорівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"