Плазмове посилене хімічне осадження пари, реактивне магнетронне розпилення, хімічне осадження з гарячим дротом та посилене хімічне випаровування радіочастотною плазмою використовувались для розробки технології підготовки нанобіопокриття з карбіду кремнію з керамічних матеріалів для стоматологічних застосувань. Визнано вплив напруги зміщення, що застосовується до керамічних протезів і зубних коронок, на процеси кристалізації. Оптимальна напруга зміщення, яка подається на провідну підкладку, становила -200 В, тоді як для діелектричної основи напруга зміщення Vbias не впливала на властивості покриття SiC. Використовували аналіз вольтамперних характеристик та спектроскопічну діагностику як методи вивчення механізму міжфазних перебудов для дослідження фазового переходу SiC у нанокристалічних покриттях з карбіду кремнію. Провідність покриття SiC збіглася з провідністю на діелектрику (<$Emu n sub 0 ~=~10 sup 12 ~-~10 sup 13> cm<^>-1-s<^>-1-V<^>-1). Провідна підкладка мала значний вплив на властивості покриття і це залежало від напруги зміщення Vbias. Провідність зросла на три - чотири порядки величини (<$Emu n sub 0 ~=~3~cdot~10 sup 17> cm<^>-1-s<^>-1-V<^>-1), якщо напруга зміщення <$EV sub bias ~=~-200> В. Збільшення напруги зміщення (<$EV sub bias ~=~-600> В) призвело до зменшення провідності (<$Emu n sub 0 ~=~10 sup 11 ~-~10 sup 12> cm<^>-1-s<^>-1-V<^>-1). Встановлено, що в цій структурі існував режим подвійного введення з бімолекулярною рекомбінацією із залежністю <$EI~=~V sup {3 "/" 2 }> для вольтамперних характеристик SiC. Спектр люмінесценції покриття SiC на недіелектричній кераміці (якщо <$EV sub bias ~=~-200> В під час осадження) суттєво відрізнявся від спектра люмінесценції покриття SiC на діелектричній кераміці. Збільшення прикладеної напруги до підкладки Vbias під час осадження призвело до збільшення частки гексагональних політипів. Напрямки в кристалічній решітці за спектрами фотолюмінесценції було визначено із порівняння значень ширини нефононних частин розломів укладання та спектрів глибинного рівня в низькотемпературній фотолюмінесценції з розташуванням атомів у структурі решітки SiC. Зміщення кожного атома фотолюмінесценції, що брав участь, надало змогу зробити кореляцію в технології осадження SiC та розробити технологію покриття SiC на стоматологічних матеріалах.

• Смертенко Петро Семенович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"