Саурова Т. А. Дослідження дрейфової рухливості електронів в арсеніді індію / Т. А. Саурова, О. В. Семеновська, О. О. Шевчук // Вісн. Нац. техн. ун-ту України "КПІ". Сер. Приладобудування. - 2019. - Вип. 58. - С. 41-47. - Бібліогр.: 19 назв. - укp.Однією з характеристик електричних властивостей матеріалу є рухливість носіїв заряду. Мета роботи - дослідження температурної залежності дрейфової рухливості електронів в арсеніді індію у слабкому полі. Для дослідження слабопольової дрейфової рухливості електронів проведено кількісну оцінку і аналіз швидкостей розсіювання імпульсу для різних видів домішкового і фононного механізмів розсіювання. Чисельне моделювання механізмів розсіювання виконано на основі дводолинної (ГL) моделі для слабкого електричного поля. Результати моделювання температурної залежності швидкостей розсіювання для розглянутих видів домішкового і фононного механізмів розсіювання показали: за низьких температур домінує домішкове розсіювання, для найнижчих температур - на нейтральних атомах домішки з поступовим зростанням (при T >> 40 K) розсіювання на іонізованих атомах домішки. Акустичне розсіювання проявляється починаючи з низьких температур, однак вносить непомітний внесок у величину сумарної швидкості розсіювання. При T >> 80 K зростає роль полярного оптичного розсіювання. У розглянутому діапазоні температур практично не проявляється міждолинне розсіювання. Представлені результати чисельного моделювання температурної залежності рухливості електронів в арсеніді індію для різних значень концентрації домішки. Отримано відповідність розрахованої температурної залежності дрейфової рухливості електронів ряду експериментальних значень, виміряних при 77 K і 300 K. Розбіжність з розрахунковим значенням при T = 300 K пояснюється відмінністю вихідних параметрів моделювання. Для арсеніду індію запропоновано набір вихідних параметрів моделювання, які забезпечують відповідність експериментальним даним. Порівняння результатів чисельного моделювання температурної залежності рухливості електронів показує, що рухливість електронів в InAs перевищує відповідні величини для Si, Ge, GaAs. Порівняння розрахованих для арсеніду індію характеристик показало, що величини рухливості і дрейфової швидкості - вищі, а значення критичного поля - нижчі, ніж для арсеніду галію. Індекс рубрикатора НБУВ: К235.220.1
Шифр НБУВ: Ж29126/прилад. Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|