Розглянуто питання оперативного розрахунку напруги пробою дрейфових n-p-n транзисторів в інверсному режимі роботи за розрахунку параметрів їх структури по заданих електричних параметрах і характеристиках. У разі оперативного розрахунку параметрів структури біполярного дрейфового транзистора визначаються концентрації на p-n переходах колектор-база (NCB) і емітер-база (NEB) за заданою напругою лавинного пробою. Обмеження на мінімальну товщину бази (WB.min) визначається за заданою величиною напруги проколу бази транзистора і за деякою розрахунковою концентрацією домішки між концентраціями NCB і NEB. Розрахункові концентрації домішки в базі дрейфового транзистора в прямому й інверсному режимах роботи значно відрізняються. Технологічний експеримент проводився на кремнієвих пластинах з двома різними концентраціями домішки в епітаксійних структурах і з різною товщиною бази, на що вказували різні значення коефіцієнтів посилення по струму як в прямому, так і в інверсному включенні. Величини концентрацій NCB і NEB визначалися розрахунковим шляхом за відомим режимом дифузії бору для формування областей бази транзистора. Глибини p-n переходів визначалися за допомогою методу куль-шліфа. Електричні параметри транзисторів у прямому й інверсному вмиканні вимірювалися на вимірнику параметрів напівпровідникових приладів Л2-56. На основі експериментальних даних розрахункова концентрація домішки в базі дрейфового транзистора визначається за значеннями NCB і NEB. Одержаний вираз розрахунку також може бути використано для розрахунку напружень проколу бази дрейфових n-p-n транзисторів в інверсному режимі роботи, напруги проколу бази перемикаючих транзисторів в елементах И<^>2Л, а також для розрахунку області зворотного градієнта надрізьких варікапів.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"