Досліджено фізичні процеси, що визначають електричні, оптичні та фотоелектричні характеристики тонкоплівкових гетероlструктур CdS/Cd_1-xMg_xTe. Проаналізовано механізми переносу заряду, визначено основні параметри матеріалу та гетероструктури. З'ясовано, виходячи з математичного опису спектрального розподілу фотоелектричного квантового виходу гетеростсруктури CdS/Cd_1-xMg_xTe, вплив параметрів діодної структури (товщини поглинаючого шару CdMgTe, питомого опору, часу життя носіїв заряду та концентрації некомпенсованих акцепторів) на квантову ефективність пристрою. Визначено умови досягнення максимально можливої ефективності тонко-плівкового CdS/Cd_1-xMg_xTe сонячного елемента. Розраховано густину потоку фотонів і струму короткого замикання тандемної структури CdMgTe/CuInSe₂ із врахуванням спектрів оптичного пропускання шарів і оптимального значення ширини забороненої зони верхнього CdMgTe сонячного елемента. Оцінено ступінь впливу багаторазових відбивань і інтерференційних ефектів на інтегральні характеристики тандемного сонячного елемента.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Микитюк Тарас Іванович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"