Наведено результати досліджень оптичних та електричних властивостей напівпровідникових гетеропереходів MoOx/n-Cd1-xZnxTe виготовлених нанесенням плівок MoOx на попередньо поліровану поверхню пластин n-Cd1-xZnxTe (розміром <$E5~times~5~times~0,7> мм<^>3) в універсальній вакуумній установці Lеybold - Heraeus L560 за допомогою реактивного магнетронного розпилення мішені чистого Mo. Такі дослідження мають велике значення для подальшої розробки високоефективних приладів на основі гетеропереходів для електроніки й оптоелектроніки. Виготовлені гетеропереходи MoOx/n-Cd1-xZnxTe володіють великою висотою потенціального бар'єра (ПБ) за кімнатної температури (<$E phi sub 0~=~1,15> еВ), яка значно перевищує аналогічний параметр для гетеропереходу MoOx/n-CdTe (<$E phi sub 0~=~0,85> еВ). Експериментально визначений температурний коефіцієнт зміни висоти (ТКЗВ) ПБ становив <$E d( phi sub 0 ) "/" dT~=~-8,7~cdot~10 sup -3> еВ/K, даний параметр більший у 4 рази від ТКЗВ ПБ для гетероструктур MoOx/n-CdTe. Більше значення висоти ПБ гетеропереходу MoOx/n-Cd1-xZnxTe обумовлене формуванням електричного диполя на гетерограниці, через збільшення концентрації поверхневих станів в порівнянні з гетероструктурою MoOx/n-CdTe, а це очевидно пов'язано з наявністю атомів цинку в області просторового заряду та на металургійній межі поділу гетерограниці. В гетеропереходах MoOx/n-Cd1-xZnxTe домінуючими механізмами струмопереносу є генераційно-рекомбінаційний і тунельно-рекомбінаційний за участі поверхневих станів і тунельний при прямому зміщенні та тунелювання при зворотньому зміщенні. Встановлено, що гетеропереходи MoOx/n-Cd1-xZnxTe, які володіють такими фотоелектричними параметрами: напруга холостого ходу Voc = 0,33 В, струм короткого замикання Isc = 1,2 мА/см<^>2 і коефіцієнт заповнення FF = 0,33 за інтенсивності освітлення 80 мВт/см<^>2 є перспективними для виготовлення детекторів різного типу випромінювань. Виміряний і досліджений імпеданс гетеропереходу MoOx/n-Cd1-xZnxTe за різних зворотніх зміщень, що надало змогу визначити розподіл густини поверхневих станів і характеристичний час їх перезарядки, які зменшуються у разі зростання зворотного зміщення.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Солован Михайло Миколайович (1986–) (технічні науки)
• Мостовий Андрій Ігорович (1989–) (технічні науки)
• Пархоменко Григорій Петрович (фізико-математичні науки)
• Брус Віктор Васильович (1987–) (технічні науки)
• Мар'янчук Павло Дмитрович (1956–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"