Gupta R. C. Empirical relation for electronic and optical properties of binary tetrahedral semiconductors = Емпіричне співвідношення електронних та оптичних властивостей бінарних тетраедричних напівпровідників / R. C. Gupta, K. Singh, A. S. Verma // East Europ. J. of Physics. - 2021. - № 1. - С. 89-92. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.Концепція іонності, розроблена Філліпсом і Ван Вехтеном, виникла в результаті діелектричного аналізу напівпровідників, а ізолятори використовувались для оцінки різних параметрів зв'язку двійкових чотиригранних напівпровідників (A<^>IIB<^>VI і A<^>IIIB<^>V). Наведено огляд розуміння кореляції між атомним номером та оптоелектронними властивостями твердих кристалів із змішаною кристалічною структурою цинку. Попередню гіпотезу середнього атомного числа елементів у сполуці використано для оцінки власних електронних та оптичних параметрів, таких як іонна щілина, середня заборонена зона, іонність кристалів і діелектрична проникність подвійних тетраедричних напівпровідників. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В379.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|