Розглянуто фізичні ефекти, які визначають вибір технології реалізації структури приладів, у тому числі короткоканальні ефекти, ефект нестаціонарної прискореної дифузії, ефект "гарячих" носіїв. Викладено принципи та методи масштабування, а також їх розвиток і обмеження застосування в глибокосубмікронній області. Розглянуто технологічні процеси іонно-пучкової та іонно-плазмової імплантації для формування легованих мікрообластей, процеси швидкого термічного відпалу в реакторах із "холодними" та "гарячими" стінками, а також дифузії з газової фази. Особливу увагу приділено таким сучасним методам субмікронної технології, як рентгенівська, іонно-променева, електронно-променева літографія, формування ультратонких шарів діелектриків, тонкоплівкова та планарна технологія.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"