Присвячено систематичному експериментальному і теоретичному дослідженню електронних, фононних, оптичних та електричних властивостей кристалів групи А₄BX₆. Монокристали TL₄HgL₆ та TL₄CdL₆ вирощувались з використанням вертикального методу Бріджмена. Для цього попередньо бінарні сполуки ТII і HgL₂, брали в співвідношеннях, відповідних формулі хімічної сполуки та завантажували в подвійну кварцову ампулу з відтягнутим у формі конуса дном. На основі порошкової X- променевої дифракції встановлено основні структурні параметри елементарної комірки досліджуваних сполук. Одержані структурні параметри надалі використовуються для теоретичних розрахунків. Приведено результати першопринципних розрахунків електронного-енергетичного спектру, фононного-енергетичного спектру та оптичних параметрів кристалів TL₄CdL₆ та TL₄HgL₆. На основі теоретичних розрахунків визначено ефективні маси електрона і дірки, виявлено локалізацію найменшої забороненої щілини, з'ясовано генезис зони провідності та валентної зони, ідентифіковано природу прямозонного переходу. Представлено результати теоретичних розрахунків фононних спектрів кристалів групи А₄BX₆. За кімнатної температури кристали описуються центросиметричною тетрагональною просторовою групою симетрії Р4/mnc. На основі теоретико-групового аналізу здійснена симетрійна класифікація фононних мод. Зокрема встановлено розподіл коливань досліджуваного монокристала за класами симетрії, а також визначено правила відбору для коливань інфрачервоних спектрів та спектрів комбінаційного розсіювання. Для підтвердження теоретичних розрахунків подаються результати експериментальних досліджень спектрів комбінаційного розсіювання та інфрачервоних спектрів поглинання кристалів TL₄CdL₆ та TL₄HgL₆. На основі теоретико-групового аналізу зроблено симетрійну класифікацію фононних мод. Зокрема встановлено розподіл коливань досліджуваного монокристала за класами симетрії, а також визначено правила відбору коливань для інфрачервоних спектрів та спектрів комбінаційного розсіювання. За спектрами комбінаційного розсіювання ідентифіковано положення смуг та зроблено припущення про їх походження. Результати температурної поведінки спектрів фотолюмінесценції кристалів TL₄CdL₆ та TL₄HgL₆. Дослідження спектрів свічення проведено в температурному діапазоні 4.5 - 300 К та спектральному діапазоні 350 - 650 нм. Виявлено дві основні смуги свічення ~ 551 нм та ~448нм (для кристалу TL₄HgL₆), які відповідають свіченням домішкових центрів HgL₂ та ТII відповідно. Припускається, що низькотемпературна смуга свічення ~ 523 нм відповідає рекомбінації екситонної смуги. Прояв різких смуг в діапазоні 350 - 410 нм належать до фононних повторень. На основі досліджень спектрів ФЛ для кристалу TL₄CdL₆ за низьких температур (77 К) було виявлено три основні смуги 379.3, 415.4 та 457.4 нм. Природа прикрайових смуг (415.4 і 457.4 нм) характеризується однаковими положенням смуг в спектрах збудження. Природа всіх смуг у спектрах збудження можна пояснити, використовуючи частину щільності станів талію, кадмію та індію. Виявлено, що смуги (3.71, 4.94 еВ) спектрів збудження можуть формуватись s - р переходами в ТІ компоненті. Припускається, що смуга 2.96 еВ виникає за рахунок свічення в з'єднанні CdL₆, вона може відповідати s - р переходам. Отже, смуга ФЛ 457.4 нм та 415.4 нм викликана внутрішніми переходами 6s - 7p в ТІ та в з'єднанні CdL₆. Представлено результати експериментального дослідження температурної поведінки вольт-амперних характеристик кристалів TL₄HgL₆ та TL₄CdL₆. Проведено аналіз температурної залежності опору та визначено питомий опір досліджуваних зразків за кімнатної температури. Визначено енергію активації та динаміку зміни температурного коефіцієнта опору кристалів TL₄HgL₆ та TL₄CdL₆. Ідентифіковано присутність структурного перетворення в кристалі TL₄HgL₆ та його відсутність в TL₄CdL₆4HgL₆ і TL₄CdL₆4HgL₆ дозволил виявити аномальну ділянку (423 - 465 К), що обумовлена проявом структурно перебудови в зразку. Для кристалу TL₄CdL₆

• Соловйов Микола Володимирович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"