Солован М. М. Електронні явища в планарних та наноструктурованих поверхнево-бар'єрних структурах на основі кремнію, кремнієвмісних та халькогенідних сполук : автореф. дис. ... д-ра фіз.-мат. наук : 01.04.10 / М. М. Солован; Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича. - Чернівці, 2020. - 40 c. - укp.Увагу приділено дослідженню оптимальних умов виготовлення планарних і наноструктурованих гетеропереходів та діодів Шотткі з заданими та відтворюваними електричними та фотоелектричними властивостями; встановленню закономірностей протікання фізичних процесів у створених фоточутливих структурах залежно від особливостей конструкції та технологічних процесів. Вперше виготовлено та досліджено на основі кремнію, на поверхні якого створені нанодроти, фоточутливі наноструктуровані гетероструктури МоОx/n-Si, МоN/n-Si, ТіN/p-Si, діоди Шотткі Nі/n-Si й Mo/n-Si, а на основі низькоомного CdTe гетеропереходи МоОx/n-CdTe(CdZnTe), а також виготовлено ряд детекторів ультрафіолетового випромінювання на основі SiC та детекторів X/γ-випромінювання на основі високоомного CdTe. Запропоновано модель, яка пояснює зростання послідовного опору та зміну концентрації легуючої домішки у базовій області кремнію з інтеркальованими наночастками срібла, а також запропоновано методи визначення активної площі наноструктурованих бар'єрних структур і концентрації нескомпенсованої домішки в напівізолюючому CdTe. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.212,022 + В379.271.2,022
Рубрики:
Шифр НБУВ: РА445724 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|