Запропоновано технологічні підходи для підвищення ефективності отримання сцинтиляційних кристалів зі структурою евлітину із розплаву. Отримано кристали Bi₄(Ge_хSi_1-х)₃0₁₂ із поліпшеними властивостями, уточнені дані щодо залежності їх сцинтиляційних параметрів від співвідношення Ge та Si. Оптимізований склад газового середовища вирощування 0₂:Аг=3:97 дозволив поліпшити прозорість вісьової частини кристалів на 15% в діапазоні люмінесценції та покращити на 0,5% енергетичне розділення на енергії 662 кеВ. При моделюванні тепло- і масопереносу визначено умови отримання великогабаритних кристалів Bi₄Ge₃0₁₂ (BGO) збільшеного діаметру (до 82 мм) класичним методом Чохральського для виготовлення сцинтиляційних детекторів Ø76x76 мм без збільшення розмірів платинового тиглю і теплового вузла. Мінімізація кількості залишкової сировини в тиглі до 5% від маси початкової сировини та наплавлення тиглів й вирощування кристалу за один цикл нагріву дозволили збільшити ресурс платинових тиглів більше ніж в 3 рази. Вперше методом EFG отримані якісні профільовані кристали BGO у формі стрижнів діаметром до 20 мм та пластин із перетином 3x40 мм² та довжиною більше 100 мм. Результати дисертації впроваджені у виробництво кристалів BGO в ІСМА НАН України.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Галенін Євгеній Петрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"