Сукач А. В. InSb фотодіоди (огляд. Ч. V) / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, А. І. Ткачук, С. П. Троценко, М. Ю. Кравецький, І. М. Матіюк, А. В. Федоренко // Оптоелектроніка та напівпровідник. техніка : зб. наук. пр.. - 2019. - Вип. 54. - С. 51-78. - Бібліогр.: 88 назв. - укp.Проаналізовано найбільш важливі операції виготовлення дифузійних InSb p-n переходів і закономірності дифузії кадмію та його розчинність в InSb, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації. Показано, що коефіцієнти дифузії кадмію в InSb задовільно апроксимуються виразом <$ED~=~1,2~cdot~10 sup -4>exp(-1,2/kT) см<^>2/с в інтервалі температур <$E350~-~450~symbol Р roman C>. Проаналізовано літературні дані двох способів пасивації активної області InSb фотодіодів і формування анодних плівок та сульфідування поверхні, які призводять до зменшення поверхневого струму. Систематизовано дані з технологічних операцій механічної та хімічної обробок поверхні підкладок InSb, призначених для виготовлення дифузійних p-n-переходів. Наведено технологічні маршрути механічної, хіміко-механічної та хіміко-динамічної обробки поверхні підкладок InSb, які мінімізують товщину порушеного шару, а також стехіометризують поверхню підкладок за хімічних обробок. Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p-n переходів, виготовлених з використанням дифузійного методу. Встановлено, що використання травника 2 % Br2 + HBr для виготовлення мезаструктур в p-n-переходах призводить до виникнення поверхневої шунтуючої провідності. Повторна хімічна обробка мезаструктур у травнику на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на ВАХ переходів. Показано, що темновий струм в p-n переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур визначається процесами генерації та рекомбінаціїї носіїв в ОПЗ для інтервалу температур 160 - 298 К, а за температур менших 160 К - тунелюванням за участю дислокацій. Індекс рубрикатора НБУВ: З852
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|