РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000787057<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Сукач А. В. 
InSb фотодіоди (огляд. Ч. V) / А. В. Сукач, В. В. Тетьоркін, А. І. Ткачук, С. П. Троценко, М. Ю. Кравецький, І. М. Матіюк, А. В. Федоренко // Оптоелектроніка та напівпровідник. техніка : зб. наук. пр.. - 2019. - Вип. 54. - С. 51-78. - Бібліогр.: 88 назв. - укp.

Проаналізовано найбільш важливі операції виготовлення дифузійних InSb p-n переходів і закономірності дифузії кадмію та його розчинність в InSb, пасивацію активної області фотодіодів та способи її реалізації. Показано, що коефіцієнти дифузії кадмію в InSb задовільно апроксимуються виразом <$ED~=~1,2~cdot~10 sup -4>exp(-1,2/kT) см<^>2/с в інтервалі температур <$E350~-~450~symbol Р roman C>. Проаналізовано літературні дані двох способів пасивації активної області InSb фотодіодів і формування анодних плівок та сульфідування поверхні, які призводять до зменшення поверхневого струму. Систематизовано дані з технологічних операцій механічної та хімічної обробок поверхні підкладок InSb, призначених для виготовлення дифузійних p-n-переходів. Наведено технологічні маршрути механічної, хіміко-механічної та хіміко-динамічної обробки поверхні підкладок InSb, які мінімізують товщину порушеного шару, а також стехіометризують поверхню підкладок за хімічних обробок. Досліджено вплив поверхневої провідності на електричні властивості плавних мезаструктурних InAs p-n переходів, виготовлених з використанням дифузійного методу. Встановлено, що використання травника 2 % Br2 + HBr для виготовлення мезаструктур в p-n-переходах призводить до виникнення поверхневої шунтуючої провідності. Повторна хімічна обробка мезаструктур у травнику на основі азотної кислоти суттєво зменшує темнові струми та вплив шунтуючої провідності на ВАХ переходів. Показано, що темновий струм в p-n переходах після повторної хімічної обробки мезаструктур визначається процесами генерації та рекомбінаціїї носіїв в ОПЗ для інтервалу температур 160 - 298 К, а за температур менших 160 К - тунелюванням за участю дислокацій.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського