За результатами рентгенофазового, частково мікроструктурного та ЕДРС аналізів побудовано ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Lu - Ag - Si за 500 <^>oC у повному концентраційному інтервалі. Підтверджено існування раніше відомих бінарних сполук із подвійних систем, що оточують потрійну систему Lu - Ag - Si: LuAg4, LuAg2, LuAg; LuSi2, LuSi, Lu5Si3, Lu5Si4. Знайдено нову бінарну сполуку Lu3Si5 (власний структурний тип). Тверді розчини заміщення утворюються на основі бінарних сполук LuAg2 (структурний тип MoSi2) та Lu5Si3 (структурний тип Mn5Si3), межі областей гомогенності яких становлять до 20 ат. % Si для LuAg2 і до 15 ат.% Ag для Lu5Si3. Інші бінарні сполуки не розчиняють більш ніж 5 ат. % третього компонента. Існування тернарних сполук у системі Lu - Ag - Si в умовах дослідження не виявлено. Проведено дослідження кристалічної структури бінарної сполуки LuSi рентгеноструктурним методом монокристалу. Масив експериментальних даних для дослідження отримано на дифрактометрі Oxford X'calibur Atlas (Mo K<$E alpha>-випромінювання). Сполука LuSi кристалізується в структурі типу TlI, просторова група Cmcm, символ Пірсона oS8, Z = 4, a = 4,1493(3), b = 10,2641(7), c = 3,7518(2) ангстрем, R1 = 0,0186, wR2 = 0,0415, для 174 незалежних відбить з <$E I~>>~2 sigma (I)> і 10 змінних.

• Гладишевський Роман Євгенович (1958–) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"