Проведено сравнение электрофизических характеристик на частоте 10,3 ГГц двух сильнопоглощающих композиционных материалов на основе системы AlN - SiC. Для оценки диэлектрической проницаемости и тангенса диэлектрических потерь таких сильнопоглощающих материалов использован волноводный метод с частичным заполнением волновода. Установлена зависимость электрофизических свойств образцов от их фазового состава, соотношения непроводящих и проводящих фаз, а также характера распределения этих фаз в микроструктуре. Содержание основных фаз в образцах 1 и 2 композиционных материалов составляет 57,2AlN - 37,9SiC - 4,9Y3Al5O12 и 42,3AlN - 49,9SiC - 7,8Y3Al5O12 соответственно; имеется также незначительное количество карбида титана, сиалона и других добавок. Показано, что в кристаллической структуре композиционных материалов практически не образуются твердые растворы между AlN и SiC. Установлено соответствие значений удельного сопротивления композитов на постоянном токе результатам высокочастотных измерений. Материалы 1 и 2 характеризуются, соответственно, тангенсом диэлектрических потерь 0,30 и 0,49; действительной частью диэлектрической проницаемости <$Eepsilon prime~=~33,4> и 60,6; мнимой частью диэлектрической проницаемости <$Eepsilon symbol Т ~=~10,1> и 29,5; удельным сопротивлением при напряжении 1 В, равным <$E3,78~cdot~10 sup 8> и <$E8,90~cdot~10 sup 5> Ом-см.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"