Надано оптимізовану технологію виготовлення методом фотостимульованого травлення напівпровідників поверхневої дифракційної решітки. Це надає змогу отримати решітки з контрольованим періодом і глибиною поверхневої модуляції. Проведено математичне моделювання синусоїдальних рельєфних решіток на поверхні GaAs. Крім того, оптимізовано їх параметри. Обрано оптимальні періоди решіток. Отримано залежності ефективності дифракції від поверхні модуляції рельєфу для різних довжин хвиль. Встановлено, що максимальна ефективність решітки спостерігається за відношення глибини поверхні рельєфу до періоду, який приблизно дорівнює 1:10. Для запису рельєфних решіток використано лазер Nd:YAG на другій гармоніці (532 нм) із максимальною потужністю 100 мВт. Для вивчення рельєфу решіток використано атомно-силовий мікроскоп. Показано, що легування GaAs телуром призводить до сильного розвитку морфології поверхні та більшої глибини модуляції поверхні напівпровідника.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Яремчук Ірина Ярославівна (технічні науки)
• Малинич Сергій Захарович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"