Luniov S. Tensoelectrical properties of electron-irradiated n-Si single crystals = Тензоелектричні властивості опромінених електронами монокристалів n-Si / S. Luniov, P. Nazarchuk, V. Maslyuk // East Europ. J. of Physics. - 2021. - № 3. - С. 37-42. - Бібліогр.: 18 назв. - англ.Досліджено тензоопір за одновісного тиску для опромінених електронами монокристалів n-Si за кімнатної температури. Досліджувані монокристали кремнію леговано домішкою фосфору, концентрацією Nd = 2,2 x 10<^>16 см<^>3, та опромінювались потоками електронів 5 x 10<^>16 ел./см<^>2, 1 x 10<^>17 ел./см<^>2 і 2 x 10<^>17 ел./см<^>2 з енергією 12 МеВ. Вимірювання питомого опору та сталої Холла проводились для одновісно деформованих уздовж кристалографічних напрямків [100] і [111] монокристалів n-Si. На підставі вимірювань тензо-холл-ефекту та інфрачервоної Фур'є-спектроскопiї встановлено механізми виникнення тензорезистивного ефекту для досліджуваних монокристалів n-Si. Показано, що тензоопір для даних монокристалів визначається лише змінами рухливості електронів у разі деформації. У цьому випадку концентрація електронів не залежить від одновісного тиску, оскільки глибокі рівні радіаційних дефектів, що належать комплексам VOi VOiP, будуть повністю іонізованими. Іонізація глибокого рівня EV + 0,35 еВ, що належить дефекту CiOi, за рахунок деформації не буде проявлятися та впливати на тензоопір n-Si. Встановлено, що анізотропією розсіяння електронів на утворених радіаційних дефектах, яка виникає за одновісного тиску вздовж кристалографічного напрямку [100], є причиною різної величини тензоопору опромінених різними потоками електронів монокристалів n-Si. Залежність величини тензоопору одновісно деформованих уздовж кристалографічного напрямку [111] монокристалів n-Si від потоку електронного опромінення пов'язана зі змінами радіуса екранування за рахунок зростання ефективної маси електронів. Уперше одержане за кімнатної температури зростання величини тензоопору монокристалів n-Si за рахунок опромінення потоками електронів <$EPHI~symbol У~1~cdot~10 sup 17> ел./см<^>2 може бути використане для конструювання сенсорів високого одновісного тиску на основі таких монокристалів n-Si з більшим значенням коефіцієнта тензочутливості відносно наявних аналогів. Такі сенсори матимуть підвищену радіаційну стійкість і широку сферу експлуатації. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227 + В379.27
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж43925 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|