Досліджено тензоопір за одновісного тиску для опромінених електронами монокристалів n-Si за кімнатної температури. Досліджувані монокристали кремнію леговано домішкою фосфору, концентрацією Nd = 2,2 x 10<^>16 см<^>3, та опромінювались потоками електронів 5 x 10<^>16 ел./см<^>2, 1 x 10<^>17 ел./см<^>2 і 2 x 10<^>17 ел./см<^>2 з енергією 12 МеВ. Вимірювання питомого опору та сталої Холла проводились для одновісно деформованих уздовж кристалографічних напрямків [100] і [111] монокристалів n-Si. На підставі вимірювань тензо-холл-ефекту та інфрачервоної Фур'є-спектроскопiї встановлено механізми виникнення тензорезистивного ефекту для досліджуваних монокристалів n-Si. Показано, що тензоопір для даних монокристалів визначається лише змінами рухливості електронів у разі деформації. У цьому випадку концентрація електронів не залежить від одновісного тиску, оскільки глибокі рівні радіаційних дефектів, що належать комплексам VOi VOiP, будуть повністю іонізованими. Іонізація глибокого рівня EV + 0,35 еВ, що належить дефекту CiOi, за рахунок деформації не буде проявлятися та впливати на тензоопір n-Si. Встановлено, що анізотропією розсіяння електронів на утворених радіаційних дефектах, яка виникає за одновісного тиску вздовж кристалографічного напрямку [100], є причиною різної величини тензоопору опромінених різними потоками електронів монокристалів n-Si. Залежність величини тензоопору одновісно деформованих уздовж кристалографічного напрямку [111] монокристалів n-Si від потоку електронного опромінення пов'язана зі змінами радіуса екранування за рахунок зростання ефективної маси електронів. Уперше одержане за кімнатної температури зростання величини тензоопору монокристалів n-Si за рахунок опромінення потоками електронів <$EPHI~symbol У~1~cdot~10 sup 17> ел./см<^>2 може бути використане для конструювання сенсорів високого одновісного тиску на основі таких монокристалів n-Si з більшим значенням коефіцієнта тензочутливості відносно наявних аналогів. Такі сенсори матимуть підвищену радіаційну стійкість і широку сферу експлуатації.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Маслюк Володимир Трохимович (фізико-математичні науки)
• Маслюк Віталій Арсеньевич (1942–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"