Незважаючи на значні переваги перовськітних оптоелектронних пристроїв на основі свинцю, їх нестабільний характер і токсичність все ще є перешкодою для практичного застосування. Подвійний перовськіт став кандидатом для застосування в оптоелектроніці та фотоелектричній техниці через його нетоксичний характер і стабільність у повітрі. Наведено неемперічне (ab initio) дослідження безсвинцевих галогенідних подвійних перовськітів Cs2NaBiX6 (X = Cl, Br, I). Розрахунок проведено за допомогою методу FP-LAPW у межах DFT у межах потенціалу PBE з використанням коду WIEN2k. Проаналізовано структурні, електронні та оптичні властивості Cs2NaBiI6, Cs2NaBiBr6 і Cs2NaBiCl6. Отримано ширину енергетичної щілини 2,0, 2,6 і 3,7 для Cs2NaBiI6, Cs2NaBiBr6 і Cs2NaBiCl6 відповідно. Протягом усього дослідження показано, що зміна структури подвійного перовськіту в межах Cs2NaBiX6 (X = Cl, Br, I), що призводить до зміни ширини енергетичної щілини, щільності станів та оптичних властивостей, таких як коефіцієнт згасання, спектри поглинання, оптична відбивна здатність, діелектричний коефіцієнт, показник заломлення свідчить про різноманітність цього матеріалу для оптоелектронних пристроїв та інших цілей.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"