Мета роботи - вивчення методом комп'ютерного моделювання механізмів впливу радіаційних дефектів, що виникають під дією гамма-випромінювання, на зміну питомого опору <$E rho>, часу життя нерівноважних електронів <$E tau sub n> і дірок <$Etau sub p> у CdTe:Cl і Cd0,9Zn0,1Te, а також ефективності збору зарядів <$Eeta> неохолоджуваних детекторів випромінювання на основі цих матеріалів. Радіаційні дефекти, яким відповідають глибокі енергетичні рівні в забороненій зоні, діють як центри захоплення нерівноважних носіїв заряду, помітно впливають на ступінь компенсації, змінюючи - матеріалу детектора, процеси рекомбінації, зменшуючи <$Etau sub n> і <$Etau sub p>, що в кінцевому підсумку може викликати зниження ефективності збору зарядів <$Eeta>. Виявлені конкретні причини погіршення детекторних властивостей CdTe:Cl і Cd0,9Zn0,1Te під дією гамма-випромінювання від <^>60Co, а також основні чинники, що призводять до повної деградації реєструвальної здатності детекторів на основі цих напівпровідників в процесі їх експлуатації. Поступове погіршення спектроскопічних характеристик детекторів на основі CdTe:Cl при гамма-опроміненні відбувається через безперервне утворення вакансій кадмію VCd і акцепторних комплексів VCd - Cl, які безперервно зміщують рівень Фермі в бік валентної зони та зменшують <$Erho>. Повна деградація характеристик детекторів із CdTe відбувається в основному через захоплення нерівноважних електронів на рівні енергії міжвузельного телуру Te(I). Незмінні спектроскопічні властивості сенсорів на основі CdZnTe при гамма-опроміненні до 25 кГр обумовлені механізмом радіаційної самокомпенсации за рахунок утворення дефектів заміщення TeZn. На завершальній стадії опромінення відбувається різке погіршення детекторних властивостей CdZnTe через захоплення та рекомбінації нерівноважних носіїв заряду на енергетичному рівні дефекту Te(I). Різну радіаційну стійкість CdZnTe і CdTe:Cl можна пояснити різниою поведінкою рівня Фермі EF у цих напівпровідниках за гамма-опромінення. EF у CdZnTe у випадку радіаційного впливу знаходиться поблизу середини забороненої зони, а в телуриді кадмію дрейфує в бік валентної зони. Швидкість захоплення та рекомбінації через донорний рівень Te(I) у CdTe:Cl є меншою, ніж у CdZnTe через більшу різницю між рівнем Фермі та рівнем радіаційного дефекту Te(I) у телуриді кадмію. Таким чином, повна деградація детектора CdTe:Cl відбувається за більш високої концентрації радіаційного дефекту Te(I) і, отже, після більш високої дози опромінення 50 кГр у порівнянні з дозою 30 кГр, необхідною для деградації детекторних властивостей CdZnTe.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"