Мета роботи - розробка дешевого та простого способу виготовлення наноструктурованих систем, що базується на випаровуванні композитів систем германій - халькогенід (оксид) металу за CVD (Chemical Vapor Deposition) - механізмом із започаткуванням нового класу матеріалів для інтерференційної оптики ІЧ (інфрачервоного) діапазону спектра. Як приклади досліджено системи Ge - ZnS і Ge - Sb2Se3, які випаровуються у вакуумі конгруентно, а при конденсації на підкладці утворюють наноструктуровані тонкоплівкові покриття. У першій із систем покриття має рентгеноаморфний характер: утворення нанодисперсного композиту у плівці Ge - ZnS підтверджується відсутністю властивих для Ge і ZnS піків на рентгенівській дифрактограммі, натомість має місце утворення характерного гало. У той же час при випаровуванні та конденсації зразка системи Ge - Sb2Se3 утворюється склоподібна структура; це підтверджується методом просвічувальної електронної мікроскопії високої роздільної здатності, якою не виявлено області кристалічності. Вміст компонентів у покритті, визначено методом енергодисперсійної рентгенівської спектроскопії (біля 10 ат. % Ge, по 40 ат. % для Sb і Se, відповідно), що вказує на певне відхилення від стехіометрії, властивої для вихідного зразка системи. Це може свідчити про дещо нижчу леткість селенідів германію у порівнянні з селенідами стибію. Сканування вздовж певної лінії (ЕДР) за товщиною покриття вказує на сильні флуктуації концентрації елементів, а отже - неоднорідність покриття за складом. Обидва покриття мають високу механічну міцність (група 0). У той же час їхні оптичні властивості суттєво різняться: показники заломлення становлять 3,0 і 3,66 для систем Ge - ZnS і Ge - Sb2Se3, відповідно. Вважається, що наноструктурування у зазначених вище системах зумовлено високою здатністю германію до аморфізації при конденсації на скляній підкладці.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"