Дослідження спектральних характеристик в зразках контактів Шотткі показали, що фотоерс, що генерується монохроматичним світлом, за механізмом формування має переважно латеральну природу, тобто в гетеросистемі існують як мінімум дві області, які розділені потенційним бар'єром вздовж межі поділу, з різним рівнем провідності. Особливістю спектральної характеристики фотоерс є зміна її вигляду при зміні температури термічного відпалу досліджуваної гетеросистеми. Знакозмінний характер і невелика амплітуда характеристики вказує на формування перехідного шару, відносно однорідного і з незначною, у порівнянні з об'ємом GaAs, концентрацією легування. Якщо спектральна характеристика має один максимум і амплітуду, яка в декілька разів перевищує амплітуду знакозмінної характеристики, це означає сформування перехідного шару в області виснаження контакту Шотткі з високою, у порівнянні з квазінейтральною областю напівпровідника, провідністю. Флуктуації неоднорідності розподілу легуючих домішок, дефекти на поверхні і в об'ємі структури будуть слугувати областями зі змінною щільністю струму, що може призвести до локального термічного перегріву приладу. Розподіл латеральної фотоерс вздовж зразка також має знакозмінний характер. Для того, щоб отримати коректні результати відносно перехідного шару гетеросистеми, необхідно проводити вимірювання спектральної характеристики на відстані від точки зміни знаку ерс, що в декілька разів перевищує довжину дифузії нерівноважних носіїв заряду в GaAs. Проблемі формування контакту метал-напівпровідник і інших гетеросистем, що супроводжується виникненням неоднорідних перехідних шарів, завжди приділялась увага. Застосування запропонованого фотоелектричного методу дозволяє встановити ступінь однорідності напівпровідникових шарів, складових структури і прогнозувати перерозподіл щільності струму, що протікає через фізичний обсяг приладу.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шеховцов Леонід Валентинович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"