Діагностичний метод полягає в наступному: вимірюється спектральна характеристика латеральної фотоерс, що генерується у структурі (або приладі) при її освітленні світлом з довжиною хвилі поблизу краю фундаментального поглинання базового напівпровідникового шару. Для ілюстрації дієвості методу наведена частина результатів вимірів для зразків контакту Шотткі NbN-GaAs з концентрацією азоту в плівці NbN 5 % і температурою термічного відпалення 900 і 950 <$E symbol Р>С. З'ясовано, що знакозмінний характер та невелика амплітуда такої характеристики вказує на якісний за однорідністю та величиною потенційний бар'єр (або бар'єри), що необхідно сформувати для виготовлення контакту Шотткі або іншої структури. Аналіз особливостей спектральної характеристики та її модифікації дозволяють зробити висновок, що в разі, якщо ерс має один максимум та амплітуду, яка в декілька разів перевищує амплітуду знакозмінної характеристики, це вказує на сформований перехідний шар між складовими гетеросистеми з високою, порівняно з квазінейтральною областю напівпровідника, провідністю. Наявність такого шару збільшує вірогідність виходу з ладу мікроелектронного приладу. Доповнюють інтерпретацію особливостей спектральних характеристик дослідження розподілу латеральної фотоерс вздовж межі поділу метал-напівпровідник. Лінійна знакозмінна форма розподілу ерс підтверджує наявність перехідного шару з нижчим рівнем легування в порівнянні з об'ємом GaAs. В деяких зразках розподіл ерс може бути далеким від лінійного. Це означає, що вже на стадії формування контакту Шотткі відбулась його деградація і необхідно вносити корективи в технологічний процес. Особливістю діагностичного методу є його неруйнівний характер, а також можливість застосування до напівпровідникових гетеросистем або приладів на їхній основі, в яких може виникати фотоелектричний ефект.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Шеховцов Леонід Валентинович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"