Досліджено поперечний (струм у зразка орієнтований перпендикулярно до осі деформації) та поздовжній (струм спрямований уздовж осі деформації) тензоопори високоомних кристалів n-Si. Обчислено параметр анізотропії рухливості K для цих двох випадків. Встановлено збіг (у межах похибок експериментів) одержаних значень параметра K у разі проходження струму вздовж напрямку деформування та перпендикулярно до нього. На кристалах n-Ge підтверджено надійність методики вимірювань поперечного тензоопору за допомогою обчислення параметра анізотропії рухливості з залученням даних двох незалежних експериментів. Одержано хороший збіг значень параметра анізотропії K, обчислених за даними вимірювань тільки поздовжнього тензоопору та даними вимірювань поздовжнього та поперечного тензоопорів. Експериментально підтверджено, що в умовах сильної направленої пружної деформації стиснення (за відсутності прояву компонент деформації зсуву в кристалах n-Si) відбуваються лише відносні зміщення ізоенергетичних еліпсоїдів у багатодолинних напівпровідниках за шкалою енергій, однак форма еліпсоїдів залишається практично незмінною.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"