Увагу приділено оптичному дослідженню особливостей дефектоутворення у детекторних матеріалах CdZnTe та алмазних полікристалічних плівках, зумовленого технологічними процесами, які застосовують при виготовленні радіаційних детекторів, і радіаційним опроміненням. Використано такі методи дослідження, як фотолюмінесценція та комбінаційне розсіювання світла. Додатково застосовано методи атомно-силової та скануючої електронної мікроскопій, метод Фур'є спектроскопії. Тестування детекторних властивостей кристалів CdZnTe та алмазних плівок проведено на стандартному спектрометричному тракті з багатоканальним аналізатором при реєструванні α-частинок джерел ²³⁹Pu, ²⁴¹Am та γ-частинок ¹³⁷Cs. Визначено основні типи дефектів у досліджуваних матеріалах, індукованих зміною технологічних параметрів росту, легуванням, термічними відпалами й опроміненням швидкими електронами та γ-квантами. Встановлено динаміку взаємодії ростових дефектів із дефектами, зумовленими активними післяростовими факторами. Зокрема показано ефективність легування кристалів CdZnTe донорними домішками In та Ge для компенсації ростових і радіаційно-індукованих вакансійних дефектів. Установлено, що ефект компенсації вакансійних дефектів залежить від концентрації легуючих домішок. У результаті дослідження процесів дефектоутворення в алмазних полікристалічних плівках, зумовлених технологічними особливостями їх осадження методом PECVD, з'ясовано, що плівки складаються з двох структурних компонент - алмазної (sp³ - фаза вуглецю) та вторинної неалмазної (суміш sp² + sp³ фаз вуглецю). Їх об'ємна частка залежить від параметрів осадження - матеріалу та температури підкладки, складу робочої газової суміші та її тиску. Показано, що заміщення водню у суміші CH₄ + H₂ на N₂ та Ar приводить до зменшення латерального розміру алмазних зерен до нанометрових, зростання об'ємної частки sp² фази вуглецю та розміру її кластерів і суттєвого зниження питомого опору. Зміна питомого опору алмазних нанокристалічних плівок не пов'язана з формуванням донорного рівня внаслідок вбудовування атомів азоту у кристалічні включення, а визначається модифікацією структури вторинної компоненти плівок. Проведено порівняння випромінювальних і фононних властивостей PECVD алмазних плівок і HPHT об'ємних монокристалів, а також їх BAX та амплітудних розподілів при взаємодії з потоком α-частинок. Установлено, що високотекстуровані CVD алмазні плівки володіють фононними та випромінювальними властивостями, близькими до HPHT монокристалів, і можуть працювати як радіаційні детектори. Зазначено, що виготовлені на основі алмазних плівок детектори показали високу чутливість при реєстрації α-випромінювання. Детектори на основі об'ємних монокристалів характеризуються меншою чутливістю до радіації. Зниження чутливості монокристалів пояснено на основі подвійної ролі домішки азоту, який може як підсилювати чутливість детектора, так і послаблювати, залежно від форми, в якій він вбудувався у кристалічну ґратку.

 Автореферати дисертацій 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Насєка Юрій Миколайович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"