Присвячено дослідженню впливу ультразвукового навантаження та опромінення (гамма-кванти, нейтрони) на протікання струму в структурах із p-n-переходом (Si) та контактом Шотткі (Si, GaAs). У кремнієвих сонячних елементах, у тому числі опромінених, виявлено акусто-індуковане зменшення часу життя носіїв заряду, оборотне при кімнатних температурах. Для пояснення виявлених ефектів запропоновано модель акустоактивного комплексного точкового рекомбінаційного центру. Показано, що акустоактивними радіаційними дефектами в кремнії є дивакансія та А-центр. Проведено порівняльний аналіз аналітичних, чисельних та еволюційних методів визначення параметрів діодів Шотткі та визначено найоптимальніші з них з погляду точності та швидкодії. В структурах Al-n-n⁺-Si встановлено взаємозв'язок між характером зміни висоти бар'єру Шотткі під час збільшення дози гамм-квантів та ступенем неоднорідності контакту. В структурах кремній-метал виявлено оборотній вплив ультразвука на висоту бар'єру та величину зворотного струму та показано, що він зумовлений рухом дислокаційних перегинів і зміною розмірів кластерів дефектів. Установлено, що вплив мікрохвильового опромінення на дефектну структуру приповерхневого шару монокристалів GaAs і SiC та епітаксійних структур GaAs викликаний зростанням концентрації міжвузольних атомів. Виявлено, що ультразвукова обробка здатна підвищувати однорідність параметрів арсенід-ґалієвих діодів Шотткі та модифікувати концентрацію і енергетичний спектр радіаційно-індукованих пасток на інтерфейсі системи Si-SiO₂.

• Оліх Олег Ярославович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"