Досліджено температурні, спектральні й баричні залежності двопроменезаломлення Δn, та показників заломлення nΔn(λ) кристалів Rb_iZnСІ₄. Встановлено значну баричну чутливість Δn, і я_i. Показано, що одновісне стискання не змінює характеру кривих n_i(λ) і n_i(T), а тільки величини dn_i/dλ та dn_i/d(T). Установлено, що одновісні напруження зміщують положення точок ФП по температурній шкалі у різні напрями залежно від напряму стискання. Побудовано фазову температурно-баричну діаграму кристала Rb_iZnСІ₄. Розраховано зонну структуру кристалів Rb_iZnСІ₄. Встановлено, що валентна зона володіє слабкою дисперсією у k-просторі, тоді як зона провідності - значною дисперсією, а область найвищої дисперсії зон локалізована поблизу центру зони Бріллюена (точка Г). Визначено значення найменшої прямої забороненої щілини. Розраховано атомну заселеність складових компонент, довжину і ступінь заселеності найкоротших атомних зв'язків в кристалі Rb_iZnСІ₄. На основі залежностей дійсної та уявної частини комплексної діелектричної проникності за допомогою дисперсійних співвідношень Крамерса-Кроніга розраховано спектральні залежності n_i(λ) і Δn, та проведено їх порівняння з експериментальними даними.

• Стахура Володимир Богданович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"