Сьогодні людство стикається з серйозною проблемою, пов'язаною із забрудненням навколишнього середовища через викиди промислових газів і промислових відходів, які можуть становити небезпеку для навколишнього середовища і викликати серйозні проблеми зі здоров'ям людей. Так датчики летких органічних сполук (ЛОС) привернули велику увагу дослідників протягом останнього десятиліття. Оскільки ацетон належить до ЛОС, які широко використовуються у всіх дослідницьких лабораторіях, у промисловості та споживчих матеріалах, то моніторинг рівня концентрації ацетону є корисним для біомедичних та екологічних досліджень. Тому гетероструктуру AlGaN/GaN діода Шотткі було аналітично змодельовано для ефективного виявлення ацетону. Як наслідок спонтанної та п'єзоелектричної поляризації, двовимірний електронний газ високої щільності, що утворюється на межі розділу AlGaN/GaN, є дуже чутливим до змін стану поверхні. Завдяки полярності ацетону електростатичний потенціал поверхні AlGaN змінюється при введенні чутливого датчика в ацетон (дипольний момент = 2,9 Dy). Ця зміна потенціалу призводить до модифікації двовимірного електронного газу і, отже, зміни струму. Інструмент TCAD використовується для моделювання діодного датчика Шотткі та кривих I-V, одержаних за різних температур для різних рівнів концентрації газу. За кривими I-V визначається чутливість за напруги зміщення 0,5 В за підвищеної температури 450 K, реєструється близько 72 % відгуку за присутності газу з 100 ppm, оскільки ця модель оцінює чутливі властивості. Також спостерігається, що чутливість насичується після 450 K, отже, визначається оптимальна робоча температур 450 K; пристрій також демонструє гарну лінійність і відгук за різних температур. Чутливість змінюється відповідно до зміни покриття поверхні, яка в кінцевому рахунку зростає через збільшення концентрації газу до певної межі. Отже, враховано залежність покриття поверхні від різних концентрацій газу.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"