Розглянуто кремнієвий МOSFET, у якому ізолятор під затвором сформовано з тонких шарів діелектрика SiO2 та слабкого сегнетоелектрика HfO2. Досліджено можливість реалізації в такій системі стійкої негативної ємності ізолятора, що відкрило б можливість для зниження підпорогового розкиду до величин, нижчих від порового значення, 60 мВ/дек. для кімнатної температури, та напруги живлення до значень, нижчих від фундаментальної Больцманівської межі, 0,5 В, і тому стало б важливим кроком на шляху до дальшої мініатюризації MOSFET. Показано, що теоретично можливо досягнути перехідної негативної ємності сегнетоелектрика, якщо заряд на пластинах конденсатора збільшується в часі повільніше, аніж поляризація сегнетоелектрика. Але така негативна ємність принципово має перехідний характер. Спроба стабілізувати її в часі в системах тонких шарів діелектрика і сегнетоелектрика потребує стабільно додатної вільної енергії та ємності всієї системи. А тому ефект негативної ємності окремо сегнетоелектрика ніяк не виявлятиметься "назовні" (у т.ч. у транзисторних застосуваннях).

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Стріха Максим Віталійович (1961–) (фізико-математичні науки)
• Морозовська Ганна Миколаївна (1977–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"