Стріха М. В. Теоретична модель для опису зниження роботи виходу напівпровідника/діелектрика під впливом поверхневого подвійного зарядженого шару / М. В. Стріха, А. М. Горячко // Сенсор. електроніка і мікросистем. технології. - 2022. - 19, № 3. - С. 23-29. - Бібліогр.: 9 назв. - укp.Розвинуто просту теоретичну модель, яка пов'язує зменшення електронної спорідненості напівпровідника (чи діелектрика) з такими параметрами, як поверхнева густина заряду, локалізованого на поверхневих станах чи адсорбованих атомах, та об'ємна густина заряду в області просторового заряду, які разом утворюють подвійний заряджений шар на поверхні. Модель дає змогу оцінити перспективність різних матеріалів і покриттів для створення сучасних фотокатодів чи ефективних катодів для польової емісії зі зниженою чи нульовою роботою виходу. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З843.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|