Вивчено характеристики транзистора DH MOS-HEMT (double heterostructure metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor) на основі AlGaN/nGaN/GaN при використанні діоксиду цирконію (ZrO2) товщиною 10 нм як діелектрика. Оксидні діелектрики відіграють важливу роль у формуванні двовимірного електронного газу (2DEG). Запропоновано аналітичну модель для оцінки густини зарядів, концентрації носіїв, струму стоку, провідності та ємності затвора. Транзистори DH MOS-HEMTs на основі ZrO2 продемонстрували виняткові характеристики, а саме максимальну густину струму стоку (IDmax) та провідність (gmmax) у порівнянні з транзисторами HEMTs на основі InGaN. Завдяки високоякісній межі розділу між ZrO2 та бар'єрним шаром AlGaN, транзистор MOS-HEMT продемонстрував чудові концентрації носіїв та ємності затвора. Також проведено електростатичний аналіз на різних межах розділу та досліджено вплив товщини шару InGaN на покращання 2DEG. Одержані результати винятково узгоджуються з опублікованими експериментальними даними. Включення міцного high-k діелектричного матеріалу, такого як ZrO2, призвело до ефективного пригнічення витоку в діапазоні 10<^>-7 мА/мм. Результати показують, що транзистор може бути ефективним рішенням як для потужних комутючих пристроїв, так і для мікрохвильових додатків.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"