Зосереджено увагу на характеристиках безперехідного (JL) багатоканального SOI транзистора на основі нанодротів. Його було проаналізовано під впливом різних деформацій для покращання продуктивності. Замість одного каналу, за допомогою концепції Multi Bridge Channel (MBC), два канали було включено в JL структуру нанодротів. Крім того, для вдосконалення JL пристрою було використано три методи. Перший - концепція подвійного металевого затвору (DMG), другий - гетероперехід (карбід кремнію (SiC) використано як матеріал стоку/витоку), і третій - нітрид металу. За допомогою цих трьох методів було збільшено мобільність, а також керуючий струм. Порівняння вольтамперних (I - V) характеристик було проведено між DMG та одинарним металевим затвором, DMG та одинарним метал-нітридним затвором за допомогою комп'ютерного симулятора Sentaurus Technology Computer Aided Design (TCAD). Результати було відкалібровано з використанням фізичних моделей, таких як залежна від температури модель транспорту носіїв (дрейфова дифузія), модель градієнта густини, модель мобільності та рекомбінаційна модель Шоклі - Ріда - Холла. Інтеграція гетеропереходу в DMG та одинарний метал - нітридний затвор покращила продуктивність обох пристроїв, але останній показав на 6 % кращу продуктивність, ніж DMG з гетеропереходом. У всіх пристроях коефіцієнт підпорогових коливань (SS) складає майже 60 мВ дек<^>-1, що є майже ідеальним значенням.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"