РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000806247<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Preethi T. 
Enhanced humidity sensing properties of surfactant-free hydrothermally synthesized tin oxide nanoparticles = Підвищена чутливість до вологості гідротермально синтезованих наночастинок оксиду олова / T. Preethi, K. Senthil, S. Ashokan, R. Balakrishnaraja, B. Sundaravel, P. Saravanan // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 6. - С. 06003-1-06003-5. - Бібліогр.: 20 назв. - англ.

Метал-оксидні напівпровідникові наноматеріали широко використовуються для застосування в сонячних елементах, акумуляторах, газових датчиках, оптоелектроніці, фотокаталізі та генерації водню. Датчики вологості на основі метал-оксидних напівпровідників показали значний внесок у галузі моніторингу навколишнього середовища, харчових технологій та біотехнологій. Серед різноманітних метал-оксидних напівпровідників наночастинки оксиду олова (SnO2) викликають більший інтерес завдяки їх високій хімічній стабільності, високій прозорості та низькому електричному поверхневому опору. У роботі наночастинки SnO2 було синтезовано за допомогою простого гідротермального процесу без використання будь-яких поверхнево-активних речовин. Синтезовані наночастинки досліджували за допомогою XRD, SEM, EDAX, UV-visible та вимірювань вологості. Дослідження структурних властивостей зразків з використанням аналізу XRD свідчать про те, що синтезовані наночастинки SnO2 мають чисту кристалічну фазу з тетрагональною кристалічною структурою просторової групи P42/mnm. Морфологія поверхні, проаналізована за допомогою мікрофотографії SEM, показала агломеровані наночастинки без будь-якої конкретної структури. Оптична характеризація за допомогою UV-visible спектроскопії виявила, що синтезовані наночастинки мають сильне поглинання в UV області. Чутливість до вологості, проаналізована на основі зміни питомого електричного опору з відносною вологістю (% RH), показала гарну гістерезисну поведінку, а спостережувані зміни електричної провідності пояснюються на основі механізму протонної провідності на поверхні.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського