Польовий транзистор на основі металу, оксиду та напівпровідника (MOSFET) - це тип польового транзистора; його робота заснована на впливі електричного поля, прикладеного до структури метал-оксид-напівпровідник, тобто до електроду затвора. Це важливий електронний компонент, особливо в мікроелектронній промисловості. З моменту винаходу інтегральної схеми основним напрямом розвитку індустрії кремнієвої мікроелектроніки була мініатюризація MOSFET. Щоб звестидо мінімуму небажані ефекти (наприклад, струм витоку) через мініатюризацію MOSFET, було використано кілька рішень для покращання продуктивності MOSFET. Серед цих рішень і використання нових оксидів затвора з високою діелектричною проникністю (наприклад, HfO2). Нанорозмірний MOSFET є складним електронним пристроєм, тому для його моделювання потрібні нові теорії та методи моделювання (наприклад, штучний інтелект). Генетичні алгоритми (ГА) - це адаптивні метаевристичні алгоритми, засновані на еволюційних ідеях (еволюційних алгоритмах) природного відбору та генетики. ГА використовуються для генерування високоякісних рішень проблем оптимізації та пошуку, покладаючись на такі генетичні оператори, як відбір, кросовер та мутація. У роботі описано розширене моделювання (оптимізація), імітацію та вилучення параметрів нанорозмірних MOSFET (оксид HfO2) з використанням підходу ГА. Електричні характеристики MOSFET прогнозуються відповідно до різних параметрів (струм стоку, напруга стоку, напруга затвора, довжина каналу, товщина оксиду).

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"