Оптогальванічні (OG) сигнали з роздільною здатністю в часі переходів 1s4-2p8 (650,65 нм) і 1s5-2p7 (653,29 нм) досліджено у неоновій плазмі постійного струму. Числову підгонку сигналів на основі моделі рівняння швидкості з чотирьома доданками було використано для з'ясування внеску в сигнал від чотирьох рівнів 1Si. Досліджено еволюцію швидкостей розпаду чотирьох станів неону 1Si як функції струму розряду. Домінуючими процесами розряду для першого переходу були фотоіонізація та ударна іонізація, тоді як для другого переходу - метастабільний механізм іонізації зіткненням був доданий до раніше згаданих механізмів для одержання OG сигналу. Визначено ефективний час життя станів 1Si для обох переходів, який для резонансного стану 1s2 становить 2 мкс, а для станів 1s3,4,5 - 40 мкс. Великий ефективний час життя всіх станів 1s2,4 у порівнянні з їх радіаційним часом життя пояснюється ефектом захоплення випромінювання. Досліджено внесок станів 1Si в сигнали OG. Участь стану 1s5 була найбільш важливою в сигналі переходу 1s5 - 2p7 тоді як стан 1s4 має великий внесок у сигнал переходу 1s4-2p8.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"