Досліджено намагніченість та магнітну сприйнятливість ниткоподібних кристалів Si1 - xGex <> (x = 0,05) діаметром близько 1 мкм в діапазоні температур 77 - 300 К та магнітних полях до 4,28 кЕ. Одержані результати показали, що магнітна сприйнятливість ниткоподібних кристалів суттєво відрізняється від типового діамагнітного об'ємного матеріалу. Основна відмінність пов'язана з існуванням парамагнітних центрів, локалізованих в нанопористому покритті, так званій структурі ядро-оболонка, ниткоподібних кристалів Si1 - xGex. Це призводить до виникнення їх магнітного впорядкування та появи парамагнітної складової в магнітній сприйнятливості. Збільшення парамагнітної складової спостерігалося завдяки введенню домішок Hf як окремих парамагнітних центрів. Було також виявлено наявність кисню в структурі "ядро-оболонка" відповідно до результатів Оже-спектроскопії, що пов'язано з ПРК-механізмом росту ниткоподібних кристалів Si1 - xGex. В результаті відбувається утворення HfO2-кластерів як об'ємного матеріалу, що характерно для діамагнетиків. Поведінка польової залежності магнітної сприйнятливості має суперпарамагнітний характер, що є типовим для насичення намагніченості суперпарамагнетизму та відсутності гістерезису в інтервалі температур 77 - 300 К. Отже, виявлені явища пояснюються наявністю обірваних зав'язків, а також кластерів HfO2 в нанопористій оболонці ниткоподібних кристалів, що призводить до магнітного впорядкування та появи суперпарамагнетизму в зразках Si1 - xGex <>.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"