РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000806270<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Kirichenko M. V. 
Analysis of mechanisms to increase the industrial silicon solar cell efficiency = Аналіз механізмів підвищення ефективності промислових кремнієвих сонячних батарей / M. V. Kirichenko, R. V. Zaitsev, K. A. Minakova, O. M. Chugai, S. V. Oleynick, S. Yu. Bilyk, B. O. Styslo // J. of Nano- and Electronic Physics. - 2021. - 13, № 6. - С. 06026-1-06026-8. - Бібліогр.: 29 назв. - англ.

Досліджено можливості підвищення ефективності понад 20 % для кремнієвих фотоелектричних перетворювачів китайського виробництва. За допомогою методу комп'ютерного моделювання встановлено, що реалізовані в таких фотоелектричних перетворювачах часи життя нерівноважних носіїв заряду, які складають 520 мкс, не обмежують можливість збільшення їх ккд понад 20 %. Показано, що збільшення густини фотоструму до 43,1 мА/см<^>2 призводить до зростання ккд до 20,1 %, а зниження густини діодного струму насичення до <$E3,1~cdot~10 sup -14> A/см<^>2 зумовлює зростання ккд до 20,4 %. Одночасна зміна цих діодних характеристик призводить до збільшення ккд до 23,1 %. У роботі запропоновано фізико-технологічні підходи для збільшення густини фотоструму і зменшення густини діодного струму насичення в готових фотоелектричних перетворювачах. У роботі проведено дослідження впливу робочої температури на ефективність кристалічних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів. Показано, що зі зростанням робочої температури відносне зниження ккд монокристалічних приладів становить -0,7 відн./C, що суттєво вище, ніж у приладових структурах європейського виробництва і зумовлено нетрадиційним зниженням густини струму короткого замикання. Математичне моделювання впливу світлових діодних характеристик на ккд кристалічних кремнієвих сонячних елементів показало, що зменшення ефективності приладових структур у разі збільшення робочої температури зумовлено не тільки зростанням густини діодного струму насичення з 10<^>-15 до <$E3~cdot~10 sup -13> А, що складає 300 %, але й зниженням шунтуючого опору з 2,5 до 1,5 кОм. Дослідження впливу робочої температури на діодний струм насичення показало, що висота потенційного бар'єру в досліджених кремнієвих фотоелектричних перетворювачах складає 0,87 еВ, що зумовлено недостанім рівнем легування базового матеріалу. Обмеженість висоти потенційного бар'єру призводить до нетрадиційного зниження електроопору, що шунтує, за збільшення робочої температури.


Індекс рубрикатора НБУВ: З854

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж100357 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського