Розглянуто GAA MOSFET n-типу з різними довжинами затвора від 90 до 12 нм. Температурно-залежне моделювання проведено з метою детального дослідження електричних характеристик. Діапазон температур, використаний у роботі, варіюється від 6 до 700 К, включаючи кріогенну температуру, і досліджується поведінка GAA MOSFET як напівпровідникового пристрою наступного покоління для квантових обчислювальних систем. Реалізація апаратного квантового процесора потребує інтеграції CMOS-контролера та схеми інтерфейсу зчитування, яка працюватиме за кріогенної температури (6 К). У роботі досліджено критичну поведінку струму стоку за кріогенної температури та за нормальної кімнатної температури. Проведено порівняльний аналіз для вивчення впливу температури на продуктивність приладу. Запропонований пристрій за кріогенної температури може працювати належним чином і стати передовим пристроєм для майбутніх квантових обчислювальних систем.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"