Присвячено розв’язанню актуального наукового завдання удосконалення технології створення контактів до поруватого шару напівпровідників. Для досягнення поставленої мети удосконалено математичну модель, яка визначає залежність загального опору системи "металевий контакт – поруватий шар арсеніду галію – підкладка арсеніду галію" від поруватості шару. Встановлено, що контактний опір металу до поруватого арсеніду галію визначається висотою бар’єру Шотткі. Зміна поруватості шару por-GaAs спричиняє зміну контактного опору. Показано, що загальний опір системи "метал –por-GaAs" можна розглядати як систему паралельно-послідовно з’єднаних опорів. Удосконалено метод отримання поруватого шару на підкладках n-GaAs, який відрізняється застосуванням імпульсного струму. Для забезпечення вимірювання параметрів контактів із поруватим шаром GaAs розроблено автоматизовану систему визначення параметрів контактів з бар’єром Шотткі завдяки вимірюванню вольт-амперних характеристик, що дозволяє визначати одночасно пряму й зворотну гілки вольт-амперних характеристик. Встановлено експериментальну залежність між морфологією поруватого шару і електричними параметрами контакту Шотткі та уточнено наукові дані про залежність висоти бар’єру Шотткі від товщини поруватого шару. На підставі запропонованих в роботі технологій розроблено датчик водню на базі поруватого GaAs з контактом Шотткі, який працює за кімнатної температури.

• Холод Олена Григорівна (фізико-математичні науки)
• Холод Олексій Григорович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"