Нанокристали ZnxCd1 - xS було одержано за методом саморозповсюджуваного високотемпературного синтезу. Синтез проводили у повітряному середовищі за атмосферного тиску. Авторам вдалося синтезувати нанокристали, близькі до CdS (<$E0~symbol Г~x~<<~0,2>), а також близькі до ZnS (<$E0,8~symbol Г~x~symbol Г~1>), змінюючи співвідношення Zn і Cd з 0 до 1 з кроком 0,1 у реальному продукті. Їх розміри визначали за методом Шеррера і знаходилися в межах <$E40~-~60~symbol С~5> нм. Нанокристали ZnxCd1 - xS усіх складів характеризувались змішаною кристалічною структурою; максимальна частка кубічної фази характерна для складів, близьких до ZnS, а мінімальна - для складів, близьких до CdS. Ступені мікродеформації кристалічної решітки нанокристалів ZnxCd1 - xS були в межах <$E1,05~cdot~10 sup 4 ~-~3,97~cdot~10 sup 3>, густину дислокацій визначали в межах <$E7,91~cdot~10 sup 10 ~-~3,1~cdot~10 sup 11>. На основі аналізу спектрів ЕПР було показано, що за зміни локального оточення іонів Mn<^>2+ зі збільшенням параметра x константа надтонкої структури ЕПР іонів Mn<^>2+ стрибкоподібно зменшувалася від значення A = 7,00 - 7,06 мТ до значення A = 6,84 мТ. Наявність лінії ЕПР іонів C<^>+ у неосвітлених нанокристалах ZnS та Zn0,8Cd0,2S може побічно вказувати на провідність n-типу одержаних зразків.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"