Проведено симуляційне дослідження багатоканального польового транзистора з горизонтальним розташуванням каналів та круговим затвором (GAA MOSFET) з розрахунком розділення каналів. Моделювання виконується у низько-технологічних вузлах з урахуванням квантового ефекту. Ізолятор, який використовується в розглянутій моделі, є high-k діелектриком, що надає змогу зменшити масштаб пристрою. Детально досліджено розділення кремнієвих каналів та його вплив на характеристики пристрою. Одержані таким чином характеристики, а саме струм стоку (ID), порогова напруга (Vth), крутизна (gm) та коефіцієнт перемикання (Ion/Ioff), порівняно для різних розділень каналів. Крім того, детально вивчено струм витоку та пов'язаний з ним короткоканальний ефект, такий як підпорогове коливання (SS), та його залежність від розділення каналів. Покращене на 28,9 % значення струму включення за SS, що дорівнює 70,34 мВ/дек, досягається для розділення каналів в 10 нм. Однак коефіцієнт перемикання 9,13e + 08 одержано для розділення в 6 нм, що порівняно вище, ніж для розділення в 9 і 10 нм.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"