Вивчено характеристики діодів Ганна на основі варізонного напівпровідника GaInPAs. Діоди Ганна - активні елементи для генерації електромагнітних хвиль міліметрового та субміліметрового діапазонів. Збільшення їх потужності та граничних частот генерації є актуальною задачею у забезпеченні активними джерелами апаратури субтерагерцового діапазону. Один із шляхів збільшення граничної частоти діодів Ганна - це застосування варізонних напівпровідників. На процеси, які відбуваються в діодах Ганна на основі варізонних напівпровідників, впливають залежності від координати великої кількості параметрів варізонного сплаву. Тому дуже важливим є оптимізація структури не тільки за рівнем легування, але й за зміною фракційних часток варізонного сплаву. В роботі представлено результати моделювання роботи діодів Ганна з довжиною активної області 1 мкм на основі варізонного сплаву GaPAs - GaInAs за різної довжини варізонного шару, різних мольних часток In і P та різної густини електронів в активній області. В роботі одержано спектри потужності власних (за відсутності резонатора) коливань діодів Ганна, проведено аналіз фізичних процесів, знайдено оптимальні довжини шару варізонного напівпровідника та оптимальні мольні частки In і P для одержання найбільшої потужності та частоти коливань. Для діодів з електронною густиною в активній області <$E6~cdot~10 sup 16> см<^>-3 найбільшу потужність коливань має Ga0,67P0,33As - Ga0,5In0,5As за довжини шару варізонної сполуки, що дорівнює 0,2 мкм. Такий діод забезпечує ВЧ-потужність 11,28 мВт на частоті 102,5 ГГц для основної гармоніки та 49 мкВт (307,5 ГГц) для третьої гармоніки. Результати дослідження розширюють знання про фізичні процеси переносу носіїв заряду в складних напівпровідникових структурах і можуть бути використані для технологічних розробок нових швидкодіючих приладів на основі напівпровідників А3В5.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"