Для синтезу нанопорошку rGO@SnO2 використовується техніка хімічного співосадження. Серед різноманітних оксидів металів SnO2 є напівпровідником n-типу з широкою забороненою зоною 3,64 еВ за кімнатної температури, який широко використовується в різних додатках, таких як датчики, прозорі провідні електроди, оптоелектронні пристрої, фотокаталізатори, літій-іонні батареї та сонячні елементи. За аналізу спектрів рентгенівської дифракції (XRD) розмір кристалітів наночастинок становив 2,15 нм. Інфрачервона спектроскопія з перетворенням Фур'є (FTIR) показує розтяжні та коливальні режими зв'язку метал-кисень за 662 см<^>-1, підтверджує наявність антисиметричного містка O - Sn - O і появу піків за 1387 см<^>-1 та 1635 см<^>-1 за рахунок зв'язків C-H та C=C відповідно. Зображення автоелектронної скануючої мікроскопії (FESEM) показує, що розмір нанокристалітів менше 10 нм. Оптична ширина забороненої зони (OBG) нанопорошку rGO@SnO2, розрахована за допомогою аналізу графіка Тауца, становить 3,53 еВ, що менше, ніж OBG чистого SnO2. Провідність і питомий опір нанопорошку rGO@SnO2 розраховано за вольтамперними характеристиками.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"