Діоди з варізонним шаром із статичним доменом сильного поля розглядаються як можливе джерело шуму для сучасних застосувань, які використовують частоти терагерцового діапазону. Діоди являють собою двоконтактну n<^>+-n<^>--n-n<^>+ структуру, яка містить катодний варізонний шар із енергетичним зазором, що зростає від катодного контакту до початку n-області. Розглянуто діоди на основі GaN та AlN відповідно із зазорами на основі InzGa1 - zN та InzAl1 - zN. Завдяки використанню варізонного шару з вузькозонним матеріалом на катоді досягається локалізація сильного електричного поля та низьке значення порогу ударної іонізації. Моделювання діодів було виконано за допомогою багаточастинкового методу Монте-Карло. Генерація шуму досліджується шляхом числового аналізу часових вибірок електричного струму в часовій області. Досліджено вплив механізмів розсіювання, що діють на носії заряду, на шумові властивості діода. Проаналізовано щільність потужності спектрального шуму (NPSD). Виявлено, що максимальна NPSD спостерігається в діодах GaN з шаром InzGa1 - zN. Величина NPSD залежить від розмірів як n<^>- області (на фіксованій довжині діода), так і положення варізонного шару відносно кінця області з високим опором (n<^>-). Встановлено, що розсіювання на полярних фононах та розсіювання на сплаві є основними механізмами, які впливають на шумові властивості діодів. Показано, що діоди демонструють області у напрузі зміщення, в яких залежність NPSD від напруги є лінійною, а величина NPSD змінюється більше ніж на порядок.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"