Наведено першопринципні розрахунки зонно-енергетичної структури та густини електронних станів, а також результати експериментального та теоретичного дослідження дисперсійних залежностей рефрактивних параметрів низки діелектричних кристалів групи АВSO₄ (де А, В = Li, Na, К, NН₄) з ізотропною точкою. Вирішено проблему встановлення впливу заміщення структурних елементів на оптичні та електронні властивості кристалів, а також досліджено вплив катіонного заміщення та зовнішніх полів на оптико-електронні параметри кристалів групи АВSO₄ з ізотропною точкою. Проведено кореляційний аналіз між структурою, рефрактивними параметрами та зонно-енергетичною структурою кристалів групи АВSO₄. Вивчено вплив часткового ізоморфного заміщення Rb⁺ → (NН₄)⁺ → Na⁺ → К⁺ на зонно-енергетичну структуру кристалів.

• Рудиш Мирон Ярославович (фізико-математичні науки)
• Щепанський Павло Андрійович (фізико-математичні науки)
• Стадник Василь Йосифович (технічні науки)
• Брезвін Руслан Степанович (1970–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"