Дане дослідження базується на аналізі тривимірної структури фотонного кристала для створення фотонного відбивача, що відноситься до відповідних довжин хвиль оптичного зв'язку 850, 1310 і 1550 нм. Зазначене застосування фотонного відбивача передбачається окремо двома 3D структурами фотонного кристала, які містять напівпровідникові (германій) або металеві (залізо) кругові стрижні відповідно, розташовані на квадратній решітці, що містить повітря як фоновий матеріал. Метод розширених плоских хвиль застосовується для дослідження фотонної забороненої зони по відношенню до всіх зазначених довжин хвиль. Фотонна заборонена зона ретельно контролюється за допомогою відповідно вибраних різних параметрів структури, таких як відстань між гратами, діаметр кругових стрижнів та властивості матеріалу. Результати моделювання показали, що структура фотонного кристала на основі напівпровідника відбиває хвилі довжиною 850, 1310 і 1550 нм, у випадку діаметра кругових стрижнів 282, 608 і 771 нм відповідно, тоді як структура фотонного кристала на основі металу відбиває хвилі згаданої довжини для діаметра кругових стрижнів 335, 1070 та 871 нм відповідно. Проаналізовано зміну відбитої довжини хвилі щодо різного діаметра кругових стрижнів для обох запропонованих структур. Таким чином, запропоновані оптичні відбивачі можуть знайти широкий спектр застосувань щодо трьох комунікаційних вікон.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"